第二十届中国科协年会闭幕式期间，中国金属学会理事长、中国工程院院士干勇以《中国制造2025的三大基础要素——新型信息技术、新材料和技术创新体系》为题做了主旨报告。干勇院士提到，我国在集成电路发展方面，受到了重大装备和关键材料的限制，与国外差距比较大，“中兴通讯事件体现出核心芯片大量依赖进口的缺点。”
干勇院士表示，芯片虽小，却是“国之重器”，装备制造的芯片相当于人的心脏，很重要。然而，“核心技术不在我们手里，而且差了1.5到2代，中低端芯片对外依存度达到80%，高端芯片对外依存度超过90%。”
干勇院士介绍说，2017年我国服务器销售了255万台，98%都是英特尔X86CPU指令集的服务器，尽管曙光、华为、联想及浪潮等国产厂商占据了主要的整机份额，但85%以上的材料来自于国外供应商，技术受制于人。
PC行业虽然早都实现了国产化，但是一些高端技术元器件，包括高端电容电感国产化率很低。干勇院士坦言，“国产CPU生态环境在英特尔的压力下十分艰难”。
他还指出，内存颗粒产业主要被韩国、美国垄断，硬盘行业也被国外垄断。在集成电路材料和器件领域，所有的半绝缘碳化硅衬底、导电衬底及外延片主要从美国进口；MEMS器件玻璃粉封装自给率为零，电子信息功能陶瓷材料自给率为零，都是在国外进口；高性能氮化物陶瓷粉底及基板自给率也是零，光刻胶自给率只有5%……高纯石英玻璃及制品、探测用的人工晶体主要来自于国外。
“中国芯”的短板已经得到了相关部门的高度重视。5月23日，工信部在上海组织召开国家集成电路、智能传感器创新中心建设方案专家论证会，与会专家一致同意通过集成电路和智能传感器两个国家制造业创新中心建设方案的论证。干勇院士表示，“这非常重要”。
据了解，国家集成电路创新中心将依托上海集成电路制造创新中心有限公司，采用“公司+联盟”的方式，由复旦大学牵头，联合行业龙头企业中芯国际、华虹集团等建立集成电路产业链上下游协同机制，以行业协同创新模式组建。创新中心将围绕5nm及以下集成电路，聚焦新器件研发、先进仿真和模拟技术、EUV光刻工艺及OPC技术、先进集成工艺四大共性技术，以实现器件结构创新和工艺创新为目标，为产业技术升级、未来大生产线建设提供人才、技术支撑和知识产权保护，支持国产高端芯片在国内制造企业实现生产。
来源：光明网
作者：战钊
