作者：吴长锋 来源：科技日报
科技日报记者 吴长锋
记者13日从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院特任研究员胡芹课题组，针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题，成功构建钙钛矿同质结，以促进光生载流子的分离和提取。这证明了同质结构筑策略在锡基钙钛矿太阳能电池领域的应用潜力，也为其他钙钛矿光电器件的结构优化提供了新思路。该成果日前发表于国际知名期刊《纳米通讯》，并被选为封面论文。
目前，高效率钙钛矿光伏器件以铅基钙钛矿半导体为主，但其含有重金属铅，对生态环境和公共健康具有潜在危害。相比之下，非铅锡基钙钛矿半导体具有更高的理论效率和较低的毒性，近年来受到越来越多的关注。然而，锡基钙钛矿半导体结晶速率快、p型自掺杂严重、与传输层能级匹配不佳等问题，导致光伏器件载流子提取困难、非辐射复合严重，器件的光电转换效率与理论值相差较远。
针对上述难题，研究人员对锡基钙钛矿半导体材料进行掺杂设计，通过将锗离子引入到活性层中，实现了锗离子的梯度掺杂和同质结构筑。钙钛矿半导体吸收层能级的梯度变化增强了内建电场，从而促进了光生载流子的分离和提取。通过不同深度的X射线光电子能谱表征，研究证实了锡基钙钛矿半导体薄膜中锗离子的梯度掺杂，通过第一性原理计算的缺陷形成能和掺杂类型结果揭示了构建同质结的内在机制。经过进一步器件工艺优化，同质结光伏器件的暗电流降低了两个数量级，缺陷密度降低了一个数量级，功率转换效率从11.2%提升至13.2%，在最大功率点连续运行250分钟后仍然保持初始效率的95%以上，具有良好的稳定性。
研究人员表示，这项研究揭示了同质结构筑的微观机理，也为锡基钙钛矿半导体光电器件的结构设计和能级调控提供了一种可靠的方案。
（中国科大供图）
