该研究中,研究人员通过第一性原理计算发现TaNiTe5在倒空间中的Γ-Y方向和Γ-Σ方向分别存在两处能带反转。其中,前者对应的拓扑表面电子态同时在(001)和(010)面上被清晰地观测到,其自旋动量锁定的能带自旋结构也与理论计算结果完美吻合,从而证明了强拓扑序的存在;后者对应的拓扑表面态仅出现在(001)面上,且等能面上呈独特的节点弧状,研究结合拓扑不变量的计算证明了这是弱拓扑序的表现。值得一提的是,Γ-Σ对应于实空间中准一维原子链的方向,因此节点弧型弱拓扑态的发现从微观电子结构层面揭示了TaNiTe5中强各向异性的输运性质的拓扑起源。该工作系统地揭示了TaNiTe5材料中“双拓扑”共存的独特拓扑性质,展示了其在拓扑调控方面的潜力,为设计新型自旋电子学器件提供了平台。
相关研究工作得到科学技术部国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的支持。
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准一维拓扑材料TaNiTe5的强弱拓扑序共存的电子结构
内容来源:中国科学院
来源:中国科学院
原文链接:http://www.cas.cn/syky/202210/t20221008_4849883.shtml
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