半导体碳纳米管具有超高载流子迁移率和饱和速度、优异的本征线性度等电学特征，并且本征尺寸小、化学稳定性高、导热性好、机械强度高，在数字集成电路和射频电路领域都具有巨大潜力，具备构建射频/数字电路SOC系统集成平台的优势，有望为未来6G通信技术提供理想的核心芯片技术。北京大学电子系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室丁力副研究员-张志勇教授-彭练矛教授联合课题组首次将碳纳米管射频器件的工作带宽提升到太赫兹领域。通过改进提纯和双液相自组装沉积方法，制备了适合射频应用的半导体阵列碳纳米管材料。
阵列碳纳米管的制备与表征
碳纳米管射频放大器
《自然·电子学》（Nature Electronics）封面文章
文献链接：https://doi.org/10.1038/s41928-021-00594-w
原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/0cTNR0_k5mSC-gFb50RzQQ
来源：gh_d06fa4463e84 今日新材料
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