前沿动态：QLED电致发光特性研究进展

近日，来自吉林大学的纪文宇教授团队总结了通过界面修饰和量子点设计来提高器件性能的策略，并讨论了相应的物理和化学机制。最后，对QLED面临的挑战以及提高器件性能的可能途径进行了总结和展望。本文主要介绍了基于II-VI族化合物(如CdSe、ZnSe和ZnS)的量子点及其在电驱动器件中的应用。通常，它们的带隙可以通过控制量子点的颗粒大小(称为量子限制效应)和成分来调节。这些无机半导体量子点是一类独特的光电材料，尺寸从几纳米到几十纳米，具有半最大发射带宽窄、色纯度高、发射光谱尺寸可调、光致发光量子产率高等特点。此外，通过旋涂和喷墨/微接触打印等溶液处理可以容易地形成QD薄膜。因此，它们被认为是太阳能电池、探测器、生物标记和发光二极管等无处不在的光电器件中最有潜力的受光和发光单元之一。

文献链接：

A review on the electroluminescence properties of quantum-dotlight-emitting diodes，Organic Electronic，2021

原文链接：

https://www.toutiao.com/i6946913307656077861/