《JMCC》综述：CsPbI3纳米晶薄膜，更稳定更高效！

来源：材料科学与工程

钙钛矿纳米晶（NCs）由于其在光电子器件中的广泛应用，近年来受到了前所未有的关注。在所有的无机钙钛矿中，CsPbI3具有最接近理想的太阳能电池带隙。CsPbI3基器件发展迅速，但同时也显示出三种卤化物钙钛矿中最不稳定的一种。因此，迫切需要找到改善其稳定性和提高其效率的治疗方法，从而最大限度地提高其适用性。

本文综述了近年来CsPbI3-NC薄膜的研究进展，重点介绍了提高其稳定性的处理方法，以及有助于提高其光电器件效率的光物理过程。相关论文以题目为“CsPbI3 nanocrystal films: towards higher stability and efficiency”发表在Journal of Materials Chemistry C 期刊上。

图1 CsPbI3纳米晶薄膜的研究。（a）最近报道了基于CsPbI3纳米晶薄膜的光伏电池效率。（b）最近报告的CsPbI3NC薄膜开发（稳定性、光子循环、载流子倍增和激子效应）。

图2处理后的CsPbI3NCs的稳定性。（a）HMS-CsPbI3NCs薄膜的原位XRD测量。（b）CsPbI3和AET-CsPbI3NCs薄膜在水中浸泡不同时间后的发光强度。插图：水中CsPbI3和AET-CsPbI3样品的照片。（c）经处理和未经处理的NC薄膜的PL曲线如（b）所示。插图显示了样品和相应的PLQY。

图3光学增益，激子效应。（a）不同激子类型和相关双激子结合能的示意图。（b）Dxx表示不同的激发过剩能量（红色）。观察到Dxx随过剩能量的快速初始增加。（c和d）双激子结合能作为泵-泵-探针不同配置延迟时间的函数实验。（e）CsPbBr3NCs在不同激发功率下的PL光谱（增加用黑色箭头表示），显示在较高激发功率下ASE的尖峰开始出现。面板显示样品厚度为20和1000nm，较厚层显示出较强的ASE峰红移，这种效应归因于较厚层中的重吸收

图4（a）实验示意图显示了不同的激发和收集位置。（b）测量和计算了765和800nm处的光发射，作为距离的函数。（c）实验观察到PL光谱与分离距离的函数关系。（d）计算发射光谱作为分离距离的函数。

本文综述了近年来红色钙钛矿型纳米晶薄膜器件的研究动态，重点介绍了实现高稳定性和高效率的有效途径。