电中性p区与n区的长度大于少子扩散长度的二极管。
简介是指在二极管中，电中性的p区和n区的长度都大于少子的扩散长度1。
原理如右图所示，当p型半导体区与n型半导体区相接触时，会形成一个pn结。此时，由于两边的载流子浓度不同，n区的多子电子向p区扩散，而p区的多子空穴向n区扩散。随着电子由n区向p区扩散，带正电的施主离子被留在n区。同样，随着空穴由p区向n区扩散，p区由于存在带负电的受主离子而带负电。n区与p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出了一个内建电势，方向由正电荷区指向负电荷区，也就是由n区指向p区。可以这样认为，由于浓度梯度的存在，多数载流子便受到了一个“扩散力”。而上述内建电势产生的电场作用在电子与空穴上，便会阻碍少子（n区中的空穴/p区中的电子）的扩散，使其扩散长度是有限的，我们把电中性的p区和n区的长度都大于少子的扩散长度的二极管称为长二极管。
本词条内容贡献者为:
韩拯 - 研究员 - 中国科学院金属研究所