自催化生长GaSb纳米线用于高性能紫外-可见-近红外光电探测器

来源：中国科学材料

近日，中科院半导体所沈国震研究员等人在Science China Materials上发表研究论文，应用镓金属液滴作为催化剂，采用化学气相沉积方法自催化合成了单晶GaSb纳米线。

图1 自催化生长GaSb纳米线的生长机理及表征。

研究表明该GaSb纳米线为典型的p型半导体，霍尔迁移率为> 0.042 cm2 V−1 s−1。硅基和柔性衬底上构筑的基于GaSb纳米线的光电探测器，具有良好的紫外-可见-近红外宽光谱探测性能。硅基器件对5 0 0 nm的可见光响应率可达3.86×103 A W−1，探测率可达3.15×1013 Jones; 柔性器件在保持相似光电性能的同时，具有极好的机械柔韧性和稳定性。

图2 基于GaSb纳米线的柔性光电探测器的宽光谱探测性能。

本文有助于更好地揭示自催化生长的GaSb纳米线的性能，并为进一步设计基于GaSb纳米线的功能光电器件打下了实验基础。

该研究成果最近发表于Science China Materials, 2019, doi: 10.1007/s40843-019-1189-7。