低能电子显微术是新发展起来的一种显微探测技术。它的特点是利用低能（1-30eV）电子的弹性背散射使表面实空间实时成像，具有高的横向（15nm）和纵向（原子级）分辩率，且易与低能电子衍射及其他电子显微术相结合。
简介低能电子显微术是新发展起来的一种显微探测技术。它的特点是利用低能（1-30eV）电子的弹性背散射使表面实空间实时成像，具有高的横向（15nm）和纵向（原子级）分辩率，且易与低能电子衍射及其他电子显微术相结合1。
应用它已有效地应用于金属和半导体表面的形貌观测、表面相变、吸附、反应和生长过程的研究。
最新研究进展入射电子在样品中的散射、二次电子的产生机制和低能电子逸出的能量阈值效应。在大能隙半导体或绝缘体中,低能电子的非弹性散射自由程显著大于金属,从而为纳米材料的表征提供了条件。综述了低能电子显微术(LEEM)、低能电子投影显微术、弹道电子发射显微术(BEEM)、光发射电子显微术(PEEM)等低能电子显微方法,介绍了这些方法得到的许多结果2。
在材料研究中的应用应用电子显微术———选区电子衍射和成像、高分辨电子成像和电子能量损失谱研究两种材料的例子。电子衍射和相关理论的计算结果表明,0.2%碳钢经923K,5.5h碳氮共渗油淬后的化合物层是εFe23(N,C),而不是εFe2(N,C)和εFe3(N,C);经523K,2h时效后化合物层中的"灰区"析出几纳米尺度的γFe4N是化合物层硬化的原因。高分辨电子成像和电子能量损失谱揭示了高温磁控溅射41%FeCo(体积分数,下同)Al2O3颗粒膜两步相分离的演变过程及其对巨磁电阻的影响3。
本词条内容贡献者为:
杨明 - 副教授 - 西南大学