磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体。化学分子式为InP。共价键结合，有一定的离子键成分。属闪锌矿型结构，为复式晶格，晶格常数是0.58688nm。
特点第一布里渊区为截角八面体，导带极小值位于布里渊区中心，电子有效质量为0.077m，m为电子惯性质量；价带极大值位于布里渊区中心，空穴有效质量约0.8m，是直接带隙半导体。室温时，禁带宽度为1.34eV。较纯晶体电子和空穴迁移率分别为0.46m2/(V·S)和1.5×10-2m2/(V·S)。掺入II族、IV族或Ⅵ族原子可制成P型或n型材料。本征载流子浓度1.0×1020/m3，本征电阻率8×10-4Ω·m。590nm光的折射率为3.45。其熔点1070℃，可用区域熔炼或直拉法制备单晶；用扩散、离子注入、外延、蒸发等方法制备p-n结、异质结、肖特基结；用分子束外延、金属有机物化学气相淀积方法可制备超晶格材料。是制备长波长(1.3～1.6μm)InGaAsP激光器的衬底材料。1
主要用途InP已经成为非常重要的半导体材料之一，主要应用于光电子技术和微波技术领域，而另一大有发展前途的应用领域是太阳能动力技术。
制备方法磷化铟单晶的制备操作步骤包括如下两道：
(1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼法。
(2)制备掺杂磷化铟单晶。一般采用高压溶液提拉法，是将盛有磷化铟多晶的石英坩埚置于高压设备内进行，用电阻丝或高频加热，惰性气体保护(压力3×106Pa)下让晶体生长。为了提高InP单晶质量，降低位错密度，可通过掺杂(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以减少位错。掺杂是往多晶中放人中间掺人物，使之在熔融和结晶过程中得予扩散实现。2
安全信息危险信息：
1． 易燃
2． 易爆
3． 刺激眼睛、烧伤皮肤致皮炎
防护措施：
1． 通风，尾气滤毒
2． 穿戴使用防毒护晶(具)
3． 避禁忌物和禁忌
4． 磷须由专人保管，严格控制使用量
5． 高压单晶炉一旦处于工作状态，必须加上高压炉门
6． 定期更换高压密封罗母线
7． 废磷必须放入不锈钢废物桶，并且桶内加水
8． 已经填封好的磷泡，必须存放在铁皮柜内，放置平稳，避免互相碰撞，铁皮柜尽量密封，防止外界空气进入。1
本词条内容贡献者为:
侯传涛 - 副教授 - 青岛大学