无位错单晶生长法是指生长无位错单晶的工艺。在单晶的生长过程中，位错的来源一方面是来自籽晶中位错的延伸，另一方面来自晶体内的热应力。
简介无位错单晶生长法是指生长无位错单晶的工艺1。
原理在单晶的生长过程中，位错的来源一方面是来自籽晶中位错的延伸，另一方面来自晶体内的热应力。
采用方法在引晶过程中，由于热冲击较大，不可避免地在籽晶上产生大量的位错。为此，采取缩颈的办法。即采取高拉速将晶体直径缩小到3mm左右，当其长度大于直径的7-10倍时，位错可滑移至表面而消失。同时因拉速较快，产生大量的空位，有利于位错的攀移，从而将位错排至晶体表面。在消失位错后，再进行放肩，就相当于在无位错晶体上生长2。
应用硅就是利用这个原理而获得直径250rnm的无位错单晶的。其它材料则因其热学性能及机械性能的不同，有的可获得小直径的无位错单晶，有的则无法获得无位错单晶3。
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邱学农 - 副教授 - 济南大学