来源：今日新材料
二维自旋器件，由于自旋自由度的引入提升了信息储存和处理能力，是新型器件研究的重要方向。高自旋极化的产生和操控决定器件性能。目前由于室温下自旋散射等问题，基于二维半导体的高自旋极化器件大都是在低温下获得的。因此，实现二维半导体室温下的高自旋极化度对于未来器件应用是非常重要的。
近日，湖南大学潘安练、王笑教授团队通过构建二维范德华异质结，调控二维半导体载流子寿命，使其小于自旋弛豫时间，从而实现了室温下自旋极化度大幅提升。团队通过物理气相沉积可控构建了一型能带排列的碘化铅/单层二硫化钨，和二型能带排列的碘化铅/单层二硒化钨二维范德华异质结构，获得了近100%的自旋极化。该成果可作为普适方法应用到多种材料体系中，并推动低维半导体材料自旋光子、自旋电子器件的研发。
文献链接：
Room temperature near unity spin polarization in2D Van der Waals heterostructures, Nature Communication, 2020
文献配图：
来源：gh_d06fa4463e84 今日新材料
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