世界首款3D高密度NOR闪存原型芯片

来源：芯片逆向

人工智能、5G、物联网、大数据等技术的快速发展，带来数据的爆炸式增长，以及对存储芯片前所未有的需求，存储介质和架构也将迎来更快速的更迭变化。

据显示，全球半导体存储市场规模达到1500亿美金，其中NAND闪存市场超过570亿美金；中国消耗了全球产能的32%，已成为全球存储产业的支柱市场。然而，全球NAND闪存市场几乎被三星、东芝、美光、SK海力士四大巨头垄断，NOR闪存近43亿美金的市场份额也几乎被赛普拉斯、旺宏、美光、华邦、兆易创新五大厂商瓜分。 

传统NOR闪存主要是平面结构，但其2D设计已经接近物理上的极限，为克服产品可靠性降低、成本攀升，3D是技术变革趋势；而世界上3D技术目前主要针对NAND闪存芯片，NOR没有3D结构推出。于是有了世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片，兼具传统NOR的性能优势和NAND的成本优势，通过缩减NOR闪存SLC单元大小至仅4F2来大幅降低制造成本，同时保持NOR的随机访问功能，适用于代码运行和数据存储；低成本+高性能，可与传统NOR和NAND两者相竞争。 

这款三维高密度NOR闪存原型芯片可广泛应用于安防系统、路由器、网关、物联网、手机、消费电子、电脑BIOS、电信设备、汽车电子、工业控制设备及其他智能电子设备。

专注于技术创新，以求冲击市场、不断壮大，似乎是高科技公司的常见战略选择。作为北京致芯这样一家芯片解密公司，也是在不断地研究，不断地突破和创新，提供精湛的解密技术和优质的解密方案。