白光LED用(Bi,Ce)共掺杂、量子效率98.6%的无铅双钙钛矿

ACS美国化学会  |   2020-08-31 10:11

来源:ACS美国化学会

英文原题:Highly efficient lead-free (Bi,Ce)-codoped Cs2Ag0.4Na0.6InCl6 double perovskites for white LEDs

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通讯作者:王春云,韦国丹,清华大学;解荣军,厦门大学

作者:Chun-Yun Wang, Pei Liang, Rong-Jun Xie, Yue Yao, Ping Liu, Yatao Yang, Jie Hu, Liyang Shao, Xiao Wei Sun, Feiyu Kang and Guodan Wei

铅卤钙钛矿凭借其优异的光电性质和低成本合成优势,近年来在太阳能电池、发光二极管(LED)和光电探测器等领域得到广泛研究。然而,铅的毒性以及对水、氧和光照的不稳定性成为其进一步大规模商业化应用的瓶颈。因此,开发高效、稳定的无铅钙钛矿材料具有重要的意义。
最近,清华大学清华-伯克利深圳学院王春云博士后、韦国丹助理教授和厦门大学解荣军教授,采用金属离子共掺杂的策略,有效提升了无铅双钙钛矿的发光效率。基于过饱和重结晶的原理,在无惰性气氛保护、相对较低的温度下(80 ℃)合成高纯相的Cs2Ag0.4Na0.6InCl6:X (X = Bi; Bi,Mn; Bi,Ce; Bi,Ni) 系列不同金属离子掺杂无铅双钙钛矿荧光粉(如图1所示)。通过(Bi,Ce)和(Bi,Ni)共掺杂Cs2Ag0.4Na0.6InCl6,分别获得内量子效率高达98.6%和98.4%的发射橙光的无铅双钙钛矿。

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图1. Cs2Ag0.4Na0.6InCl6:X (X = Bi; Bi,Mn; Bi,Ce; Bi,Ni)系列荧光粉的合成示意图(a),晶体结构(b),X射线衍射图谱(c),激发、发射光谱(d),量子效率(e)和漫反射光谱(f)。
进一步通过第一性原理计算(图2)发现,与Bi3+单掺杂Cs2Ag0.4Na0.6InCl6相比,(Bi3+, Ce3+)和(Bi3+, Ni2+)共掺杂后分别形成浅层缺陷能级和局域化的深层缺陷能级,增加了自限域激子的辐射复合路径,从而有效提升了量子产率。然而(Bi3+, Mn2+)共掺杂后会形成非局域化的深层缺陷能级,量子产率略微有所下降。并且(Bi3+, Ce3+)共掺杂体系具有最低的缺陷生成能,而(Bi3+, Mn2+)共掺杂体系的缺陷生成能最高,因而Mn的实际掺杂量比较低。

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图2. 无掺杂(a),Bi掺杂(b),(Bi, Mn)共掺杂(c), (Bi, Ce)共掺杂(d),(Bi, Ni)共掺杂(e) Cs2Ag0.4Na0.6InCl6体系的能带结构、态密度和(Bi, Ce)共掺杂体系的位形坐标图(f)。
为了评估(Bi3+,Ce3+)共掺杂Cs2Ag0.4Na0.6InCl6荧光粉在白光LED中的应用性能,将其与商业蓝粉BAM:Eu以不同质量比混合,与365 nm紫外LED芯片封装可获得色温可调、高显指的白光LED(图3)。当BAM:Eu与Cs2Ag0.4Na0.6InCl6:(Bi3+,Ce3+)的混合比为0.2时,获得平均显色指数高达95.7的暖白光,可适用于室内照明。同时只将无铅双钙钛矿粉体作为荧光体获得的LED,在不同驱动电流下具有优异的稳定性。然而,该粉体的热淬灭仍然比较严重,若能够进一步提高其热稳定性,在照明领域具有良好的应用前景。

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图3. (Bi,Ce)共掺杂的无铅双钙钛矿与商业蓝粉BAM:Eu以不同质量比(r)混合,与365 nm紫外LED芯片封装获得的白光LED在100 mA和3 V驱动下的电致发光光谱(a),CIE色坐标(b)和只用无铅钙钛矿作为荧光体获得的LED在不同驱动电流下的电致发光光谱(c)。
相关论文发表在Chemistry of Materials 上,该项目得到深圳市发展改革委、新能源技术与工程实验室和国家自然科学基金的支持。

来源:gh_0320d0d498b4 ACS美国化学会

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