来源：中国科学杂志社
GaAs作为第二代半导体材料，因其直接带隙的性质及较高的电子迁移率，被广泛应用于发光、探测及光伏器件等领域。低维GaAs基材料在光电集成器件中展现出极大的潜力，尤其是其一维纳米线结构，可同时作为增益介质和波导，在半导体激光应用中具有天然优势。但是，相比于工作在紫外和可见波段的纳米线激光器，近红外波段的GaAs基纳米线激光器的实现相对比较困难。在过去的几十年中，GaAs基纳米线研究领域发展迅速。GaAs基纳米线的生长机制得到了广泛的研究，通过精确地控制生长条件可以得到高质量的GaAs基纳米线，材料光学性质的研究也取得了较大进展，许多提升及调控其光学性质的方法得到应用，GaAs基纳米线的室温激射得以实现。得益于外延技术的发展，涌现出许多新颖的纳米线量子阱结构，并且可以通过对GaAs基纳米线参数的控制实现对其激射性质的精确调控。
作者简介
陈锐
南方科技大学电子与电气工程系教授，中组部第十批“千人计划”（青年项目）和深圳市海外高层次人才“孔雀计划”（B类）入选者。主要研究领域包括激光光谱与材料光学特性研究。近年来，围绕纳米材料表面开展光学改性，巧妙利用多种表面修饰技术，调控低维纳米材料的能带结构和载流子特性，在高性能光电子材料和器件的设计与应用方面展开研究。迄今为止，已发表论文150余篇，其中封面文章17篇，文章被引用近4000次，h因子37。
来源：scichina1950 中国科学杂志社
原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA3MzQ5MzQyNA==&mid=2656803412&idx=2&sn=b8224e0d46e9e202dc8c7706279997ed&chksm=84a1048bb3d68d9df1f002c6a8f0f6e6916cca4a426f2ff728254e46c9f6a4f8aa6a8a0f2052#rd
版权声明：除非特别注明，本站所载内容来源于互联网、微信公众号等公开渠道，不代表本站观点，仅供参考、交流、公益传播之目的。转载的稿件版权归原作者或机构所有，如有侵权，请联系删除。
电话：（010）86409582
邮箱：kejie@scimall.org.cn
