GaAs基纳米线的光学性质和激射

来源：中国科学材料

工作在红外波段的砷化镓(GaAs)基纳米线激光器在集成光电子学中起着重要作用。在过去的十几年中，纳米线激光器领域发展迅速，但是与工作在紫外和可见波段的材料相比，由于GaAs基材料的特性，近红外激光器的实现相对困难。

近日，南方科技大学陈锐教授等人在Science China Materials上发表综述文章，着重介绍了GaAs基纳米线的最新进展，特别是GaAs纳米线的光学性质和激射特性。详细介绍了GaAs纳米线的生长机理，包括晶相控制和复杂结构的生长。回顾并讨论了GaAs基纳米线的光学性质的影响因素和改进方法。最后，展示了GaAs基纳米线激光器的设计及其最新进展。

图1 GaAs基纳米线激光器示例。

该研究成果最近发表于Science China Materials, 2020, 10.1007/s40843-020-1288-6。